Bộ nhớ 3D NAND thế hệ thứ chín sẽ được sử dụng trong các trung tâm dữ liệu trí tuệ nhân tạo cũng như trong điện thoại thông minh. Các công ty công nghệ lớn của Mỹ như Google và Apple được cho là khách hàng chính mà Samsung đã vận chuyển hàng mẫu.
So với 3D NAND thế hệ thứ tám chứa 236 lớp, sản phẩm bộ nhớ mới nhất tăng mật độ bit lên 50%. Bộ nhớ mới sẽ tăng tốc độ đầu vào và đầu ra dữ liệu lên 33% và giảm 10% mức tiêu thụ điện năng.
NHU CẦU BỘ NHỚ NAND CÓ DUNG LƯỢNG LỚN TRÊN TOÀN CẦU TĂNG MẠNH
Sự lan rộng của AI tổng hợp đã thúc đẩy nhu cầu về dung lượng bộ nhớ NAND lớn hơn do lượng dữ liệu khổng lồ cần thiết cho quá trình học và xử lý máy. Các nhà sản xuất chip đang cạnh tranh để tăng thêm dung lượng lưu trữ dữ liệu bằng cách xếp chồng các phần tử lưu trữ bộ nhớ theo chiều dọc.
Samsung có trụ sở tại Hàn Quốc, công ty hàng đầu thế giới về bộ nhớ, cho biết họ đang phát triển sản phẩm 3D NAND thế hệ thứ 10 với hơn 400 lớp. Đồng hương SK Hynix, công ty bán dẫn lớn của Hàn Quốc, cho biết họ đang sản xuất hàng loạt bộ nhớ NAND 238 lớp. Kioxia Holdings đứng thứ ba tại Nhật Bản dường như đang sản xuất hàng loạt bộ nhớ NAND 162 lớp.
Hur Sung-hoi, Giám đốc sản phẩm và công nghệ flash tại Samsung Electronics cho biết “Chúng tôi rất vui mừng được cung cấp V-NAND thế hệ thứ 9 đầu tiên trong ngành, điều này sẽ mang lại những bước nhảy vọt cho các ứng dụng trong tương lai. Để đáp ứng các nhu cầu ngày càng thay đổi đối với các giải pháp flash NAND, Samsung đã vượt qua những ranh giới trong kiến trúc bộ nhớ và sơ đồ vận hành cho sản phẩm thế hệ tiếp theo của mình”.
SAMSUNG MONG MUỐN THIẾT LẬP XU HƯỚNG THỊ TRƯỜNG Ổ CỨNG THỂ RẮN HIỆU SUẤT CAO, MẶT ĐỘ CAO
Ông Hur cho biết thêm thông qua việc sản xuất hàng loạt V-NAND mới nhất, công ty mong muốn thiết lập xu hướng cho thị trường ổ cứng thể rắn hiệu suất cao, mật độ cao, đáp ứng nhu cầu của thế hệ trí tuệ nhân tạo sắp tới.
Samsung không tiết lộ thông tin cụ thể, nhưng các nguồn tin trong ngành cho biết hãng đã bắt đầu sản xuất hàng loạt sản phẩm V-NAND 286 lớp thế hệ thứ 9 với kích thước tế bào nhỏ nhất và khuôn mỏng nhất trong ngành.
Để nâng cao chất lượng và độ tin cậy của sản phẩm mới, Samsung đã áp dụng những cải tiến như tránh nhiễu tế bào và kéo dài tuổi thọ tế bào, đồng thời loại bỏ các lỗ kênh giả đã làm giảm đáng kể diện tích phẳng của các tế bào bộ nhớ.
Công nghệ “khắc lỗ kênh” (channel hole etching) tiên tiến của Samsung hiện thực hóa các đường dẫn điện tử bằng cách xếp chồng các lớp khuôn và tối đa hóa năng suất chế tạo vì nó cho phép khoan đồng thời số lượng lớp tế bào cao nhất trong cấu trúc xếp chồng kép.
Theo Samsung, khi số lượng lớp tế bào tăng lên, khả năng xuyên qua số lượng tế bào cao hơn trở nên cần thiết, đòi hỏi các kỹ thuật khắc phức tạp hơn. Samsung cho biết V-NAND mới nhất được trang bị giao diện flash NAND thế hệ tiếp theo – Toggle 5.1 – hỗ trợ tăng tốc độ đầu vào và đầu ra dữ liệu thêm 33% lên tới 3,2 gigabit mỗi giây.
Bộ nhớ mới cũng có thiết kế tiêu thụ điện năng thấp tiên tiến để cải thiện mức tiêu thụ điện năng vì nhu cầu giảm mức sử dụng năng lượng và lượng khí thải carbon của khách hàng trở nên quan trọng.
Cùng ngày, nhà sản xuất chip nhớ cũng tiết lộ kế hoạch đẩy nhanh nỗ lực phát triển NAND dung lượng cao và hiệu suất cao cần thiết trong kỷ nguyên AI. Công ty cho biết, việc sản xuất hàng loạt mô hình tế bào bốn cấp cho V-NAND thế hệ thứ chín sẽ bắt đầu vào nửa cuối năm.
Trong báo cáo thu nhập quý III vào tháng 10 năm ngoái, Samsung đã tuyên bố rằng họ đặt mục tiêu phát triển chip NAND 1.000 lớp vào năm 2030 với mật độ và khả năng lưu trữ cao hơn để giành được chỗ đứng trong thị trường flash NAND đang phát triển nhanh chóng, phù hợp với tốc độ mở rộng nhanh chóng. Công nghệ AI.
Theo công ty nghiên cứu thị trường Omdia, doanh số bán flash NAND trên toàn cầu dự kiến sẽ tăng trưởng với tốc độ trung bình hàng năm là 24% từ 38,7 tỷ USD năm 2023 lên 114,8 tỷ USD vào năm 2028.
Google translate